特許

J-GLOBAL ID：200903055501058275

真空処理方法

発明者： 村岸 勇夫 ,  置田 尚吾 ,  鈴木 正樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261305
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085411
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 エッチング処理で基板に付着物が生じても良好にアッシング処理することができ、残留レジストを防止できる真空処理方法を提供する。【解決手段】 アッシング室2内で、基板21を200°C以上に加熱する状態において、H2Oガス47を導入してプラズマ放電し、次いでO2にCF4を5%から15%添加したCF4-O2ガス48を導入して所定の低圧領域に保持しつつプラズマ放電することにより、プラズマエッチングで発生した付着物層49をアッシングし、その後に、O2にCF4を5%から10%添加したCF4-O2ガス50を導入して所定の高圧領域に保持しつつプラズマ放電することにより、基板21上のレジストをアッシングする。

請求項（抜粋）：

処理対象の基板をエッチング室にてプラズマエッチングし、アッシング室にてプラズマアッシングするに際して、前記アッシング室内で、基板を200°C以上に加熱する状態において、H2Oガスを導入してプラズマ放電し、次いでCF4を5%から15%添加したO2ガスを導入して所定の低圧領域に保持しつつプラズマ放電することにより、プラズマエッチングで発生した基板付着物をアッシングし、その後に、CF4を5%から10%添加したO2ガスを導入して所定の高圧領域に保持しつつプラズマ放電することにより、基板上のレジストをアッシングすることを特徴とする真空処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 F

Fターム (29件)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096HA23 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  2H096LA09 ,  5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA26 ,  5F004DB09 ,  5F004DB16 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA28 ,  5F046LB01 ,  5F046MA12