特許

J-GLOBAL ID：200903055502635616

光半導体装置とその製造方法

発明者： 北田 秀樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-153897
公開番号（公開出願番号）：特開平5-346600
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】 多重量子井戸構造(MQW)を有し、光スイッチング機能を有する光半導体装置に関し、励起子吸収の緩和時間を短縮化することができ、かつ緩和時間の短縮化に伴って問題を生じることが少ない光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 電子親和力が小さく、バンドギャップの大きな第1の半導体で形成されたバリア層と、電子親和力が大きく、バンドギャップの小さな第2の半導体で形成された量子井戸層が積層され、所定波長の光に対して可飽和吸収を示す光吸収領域と、前記光吸収領域のバリア層と量子井戸層に連続して形成され、バリア層と光吸収領域の量子井戸層より厚い量子井戸層が積層され、前記光吸収領域で形成され、輸送された励起子を消滅させる緩和領域とを有する。

請求項（抜粋）：

電子親和力が小さく、バンドギャップの大きな第1の半導体で形成されたバリア層(1)と、電子親和力が大きく、バンドギャップの小さな第2の半導体で形成された量子井戸層(2)が積層され、所定波長の光に対して可飽和吸収を示す光吸収領域(5)と、前記光吸収領域(5)のバリア層(1)と量子井戸層(2)に連続して形成され、バリア層(1)と光吸収領域(5)の量子井戸層より厚い量子井戸層(2)が積層され、前記光吸収領域(5)で形成され、輸送された励起子を消滅させる緩和領域(6)とを有する光半導体装置。

IPC (4件)：

G02F 1/35 505 ,  H01L 21/265 ,  H01L 31/04 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 31/04 E