特許
J-GLOBAL ID：200903055506561692
電子放出素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-102322
公開番号（公開出願番号）：特開平9-288964
出願日： 1996年04月24日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 チップ先端部の損傷および半導体表面電荷を低減させ、電子放出電界の低下,放出電流の安定化,素子長寿命化を達成し、高品質および高信頼性を得る。【解決手段】 シリコン基板1と、このシリコン基板1上に突出して形成されたチップ4と、シリコン基板1上のチップ4の周囲部に形成されたシリコン絶縁膜3と、このシリコン絶縁膜3上に形成されチップ4の先端部に開口部6を近接して配設されたゲート電極5とを有し、シリコン基板1とゲート電極5との間に直流駆動電圧を供給することによりチップ4の先端部から電子を真空中に放出させる電子放出素子において、チップ4の表面にシリコン窒化膜7を形成することにより、チップ4を保護する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、前記シリコン基板上に突出して形成された錐状突起と、前記シリコン基板上の前記錐状突起の周辺部に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に前記錐状突起の周辺部を覆いかつ前記錐状突起の先端部に開口部を近接して配設されたゲート電極とを有し、前記シリコン基板と前記ゲート電極との間に直流駆動電圧を供給することにより前記錐状突起の先端部から電子を真空中に放出させる電子放出素子において、前記錐状突起の少なくとも先端部にシリコン窒化膜を形成したことを特徴とする電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 B
