特許

J-GLOBAL ID：200903055513917095

半導体チップの接続方法

発明者： 伊藤 達夫 ,  塚越 功 ,  後藤 泰史 ,  太田 共久 ,  山口 豊
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014436
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206208
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 微小面積接続の信頼性と電極間絶縁性に優れた高密度電極の接続が合わせて可能である異方導電性接着フィルムを用いた半導体チップの接続方法を提供する。【構成】 半導体チップの突出電極形成面と基板回路間に、厚みが突出電極の平均高さと導電粒子の平均粒径と回路電極の高さとの和以下であって、接続後における突出電極、導電粒子、回路電極それぞれの平均高さの和以上の厚みを有する絶縁性接着剤を介在させ、半導体チップと基板回路を加熱加圧する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの突出電極と基板回路の間に、加圧変形性の導電粒子を介在させてなる半導体チップの接続方式において、前記半導体チップの突出電極形成面と基板回路間に、厚みが突出電極の平均高さと導電粒子の平均粒径と回路電極の高さとの和以下であって、接続後における突出電極、導電粒子、回路電極それぞれの平均高さの和以上の厚みを有する絶縁性接着剤を介在させ、半導体チップと基板回路を加熱加圧し、隣接電極間の絶縁性を保持することを特徴とする半導体チップの接続方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/283