特許

J-GLOBAL ID：200903055515624486

赤外線センサ

発明者： 秦 久敏 ,  中木 義幸 ,  兼田 修 ,  曽根 孝典
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-179822
公開番号（公開出願番号）：特開2001-272271
出願日： 2000年06月15日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 赤外線吸収効率が良好で高感度であり、かつ、検知部の熱容量の小さくレスポンス特性に優れた熱型赤外線センサを提供すること。【解決手段】 熱型赤外線センサの検知部に、赤外線吸収膜26を形成し、検知部下方の半導体基板10上に赤外線反射膜24を形成し、検知部6の一部の領域において、赤外線吸収膜26と電極22a及び22bとの間の光学距離を検出赤外線波長の略4分の1とする一方、検知部6の残りの領域において、赤外線吸収膜26と赤外線反射膜24の間の光学距離を検出赤外線波長の略4分の1とする。電極22a及び22bの赤外線反射機能を積極的に利用して、電極-赤外線吸収膜間に共振構造を形成することにより、赤外線吸収効率を高める。また、電極形成を検知部の一部に限定し、残りの領域においては赤外線吸収膜と赤外線反射膜の間に共振構造を形成するため、検知部の膜厚増加を抑制して、レスポンス特性の低下を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

赤外線を吸収して温度変化を起こす検知部を、半導体基板の上方に、断熱脚によって支持して成り、前記検知部に、温度変化により電気特性が変化する検知膜と、該検知膜に接合した一組の電極とを有し、該電極を介して、前記検知部の温度変化を電気信号として読み出す赤外線センサにおいて、前記検知部に、赤外線を吸収しながらその一部を透過する赤外線吸収膜を形成し、前記検知部下方の前記半導体基板上に、赤外線を反射する赤外線反射膜を形成し、前記検知部の一部の領域において、前記赤外線吸収膜と前記電極との間の光学距離を検出赤外線波長の略4分の1とする一方、前記検知部の残りの領域において、前記赤外線吸収膜と前記赤外線反射膜の間の光学距離を検出赤外線波長の略4分の1としたことを特徴とする赤外線センサ。

IPC (5件)：

G01J 1/02 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 37/02 ,  H04N 5/33

FI (5件)：

G01J 1/02 C ,  H01L 37/02 ,  H04N 5/33 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/08 M

Fターム (34件)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA12 ,  2G065BB24 ,  4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA32 ,  4M118CA35 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB07 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118GA10 ,  4M118GD15 ,  5C024AX06 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX26 ,  5C024GX00 ,  5C024GX08 ,  5F088AA20 ,  5F088AB01 ,  5F088BA01 ,  5F088EA02 ,  5F088FA01 ,  5F088FA09 ,  5F088FA15 ,  5F088GA04 ,  5F088HA09 ,  5F088LA01