半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-273431
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097521
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】化学機械的研磨法を用いたトレンチによる素子分離領域形成時におけるセル内の素子領域上の酸化膜残りをなくすようにする。【解決手段】シリコン基板1上に、熱酸化膜2/窒化膜3の積層膜を形成した後、素子分離領域のシリコン基板1が露出するように前記積層膜をパターニングし、次に、前記窒化膜3をマスクにして前記シリコン基板1をエッチングして素子分離用の溝DTを形成し、次に、熱酸化することにより前記溝DTの底面及び側面に熱酸化膜4を形成し、次に、前記シリコン基板1上にCVD酸化膜5を形成する。次に、素子領域のCVD酸化膜5が露出するようパターニングし、等方性エッチングにより前記CVD酸化膜5をリセスエッチングし、次に、前記CVD酸化膜5上に酸化膜もしくは窒化膜6を形成後、化学機械的研磨法により、前記窒化膜3が露出するまで研磨して前記窒化膜3と熱酸化膜2とを除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第一の熱酸化膜と窒化膜とを順次形成する第一の工程と、前記第一の熱酸化膜と窒化膜とを所定形状にパターニングする第二の工程と、前記第二の工程後、前記窒化膜をマスクにして、前記半導体基板をエッチングして前記半導体基板に溝を形成する第三の工程と、前記溝内の前記半導体基板上に第二の熱酸化膜を形成する第四の工程と、前記第四の工程後、前記半導体基板上に第一の酸化膜を堆積する第五の工程と、前記溝上方の前記第一の酸化膜上にレジストパターンを形成する第六の工程と、前記レジストパターンをマスクにして、前記窒化膜が露出しない程度に前記第一の酸化膜を異方性エッチングする第七の工程と、前記第七の工程後、前記半導体基板上に前記第一の酸化膜と研磨レートが同等、またはそれより低いレート制御用膜を形成する第八の行程と、前記第一の酸化膜および前記レート制御用膜を、前記窒化膜が露出するよう研磨する第九の工程と、前記第九の工程後、前記窒化膜および前記第一の酸化膜を除去する第十の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 21/304 321

FI (2件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/304 321 S

前のページに戻る