特許

J-GLOBAL ID：200903055518183626

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： 岩瀬 正幸
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196173
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046292
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 光ファイバとの結合が容易でかつ結合効率が高い半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体レーザ素子には、基板10上に形成したレーザ活性層12のレーザ放出端面を成す一方の側壁22とこの側壁22に対向し基板の主面と45度の角度を成す傾斜側壁24とを有する溝が形成される。溝表面には高反射膜28が塗布され、傾斜側壁24の表面が傾斜鏡面を構成する。溝内には、レーザ放出端面と傾斜鏡面との間にコア層30を有する光導波路が形成される。光導波路のコア層30の幅は、レーザ活性層12の端面側でレーザのモードフィールドの径に、傾斜鏡面側で光ファイバのモードフィールドの径に夫々一致させる。光導波路の上側クラッド層32には、放出されるレーザ光を集光するレンズ及び光ファイバのためのファイバガイドが設けられる。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板の主面上に形成され該主面と平行方向にレーザ光を放出する端面を有するレーザ活性層と、前記端面に対向して前記基板上に形成され前記主面に対して傾斜する傾斜鏡面と、前記端面と前記傾斜鏡面との間に形成されて前記端面から前記傾斜鏡面にレーザ光を導く光導波路とを備えることを特徴とする半導体レーザ素子。