半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078345
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243201
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】半導体基板を水溶液または純水で処理する工程(洗浄工程等)を備える場合に、その処理が確実かつ充分に行える技術を提供すること。【構成】半導体基板を水溶液または純水で処理する工程III を有する半導体装置の製造方法において、該半導体基板を水溶液または純水で処理する前に水に対する溶解度の大なる気体に晒す工程IIを行う半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板を水溶液または純水で処理する工程を有する半導体装置の製造方法において、該半導体基板を水溶液または純水で処理する前に水に対する溶解度の大なる気体に晒すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-234535
特開昭63-234535

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