特許

J-GLOBAL ID：200903055528541288

半導体用製造装置

発明者： 小川 貴史
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066069
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330387
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【課題】 交換するサセプタもしくはシャワーヘッドの搬送および所定の取り付けを全て真空中で行うことが可能な半導体用製造装置を提供する。【解決手段】 ゲートバルブ8を介してプロセスチャンバ30に連接し内部が真空となる電極交換用チャンバ31を設け、プロセスチャンバ30内にサセプタ1もしくはシャワーヘッド2を所定の高さに搬送する電極上下ピン22を設け、また、好ましくはサセプタ1もしくはシャワーヘッド2をプロセスチャンバ30の外部から所定のトルクで固定するクランプ機構40,41を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハを処理するプロセスチャンバであって、前記半導体ウェハを載置する下部電極としてのサセプタと、供給ガスを前記半導体ウェハ上へ分散させる上部電極としてのシャワーヘッドとを有するプロセスチャンバを備えた半導体用製造装置において、前記サセプタもしくは前記シャワーヘッドあるいはその両者を真空中で交換できるように、前記プロセスチャンバにゲートバルブを介して隣接し内部が真空に引ける電極交換用チャンバと、前記電極交換用チャンバ内に位置し、前記サセプタもしくは前記シャワーヘッドを前記交換用チャンバから前記プロセスチャンバに真空中で搬送する電極搬送ロボットと、前記サセプタもしくは前記シャワーヘッドを前記プロセスチャンバ内で所定の高さに搬送する電極上下ピンとを設けたことを特徴とする半導体用製造装置。

IPC (7件)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  C30B 25/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (8件)：

H01L 21/68 A ,  H01L 21/68 N ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  C30B 25/12 ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B