埋め込み型半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-025543
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226767
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】制御性や再現性に優れた方法で活性層を含むメサストライプ領域を埋込み、その後高温プロセスを導入することなく特性に優れた半絶縁性半導体埋込み型半導体レーザを提供する。【構成】半導体基板31上に基板と同一導電型の第1クラッド層32、活性層33、基板と反対導電型の第2クラッド層34及び第2クラッド層と同一導電型のコンタクト層35を、この順にエピタキシャルに積層して誘電体ストライプマスクを形成し、このマスクを用いて第1クラッド層の一部、活性層、第2クラッド層及びコンタクト層を含んで形成されたメサストライプ領域40をエッチングにより形成した後、ストライプマスクを除去する。次にメサストライプ領域40の両側に該領域と平行に2本の選択成長用ストライプマスク36a,36bを形成する。その後該マスクの間に配置され、低指数結晶面の側面をもつテーパ状半絶縁性半導体領域37によるメサストライプ領域の埋込を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板(31)上に基板と同一の導電型を有する下側クラッド層(32)、活性層(33)、基板と反対導電型を有する上側クラッド層(34)および上側クラッド層(34)と同一導電型を有するコンタクト層(35)をこの順序でエピタキシャル積層してなるダブルヘテロ接合半導体レーザにおいて、下側クラッド層(32)の少なくとも一部、活性層(33)、上側クラッド層(34)およびコンタクト層(35)を含んで形成されたメサストライプ領域(40)と、当該メサストライプ領域(40)の両側の非ストライプ領域上に当該メサストライプ領域(40)と平行に形成された二本の選択成長用ストライプマスク(36a、36b)と、当該ストライプマスク(36a、36b)の間に選択的に配置され、上記メサストライプ領域(40)側面を埋め込み、低指数結晶面の側面を有するテーパ状半絶縁性半導体領域(37)とを含む埋め込み型半導体レーザ。

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