特許

J-GLOBAL ID：200903055535325310

新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパタ-ン形成方法

発明者： 渡辺 武 ,  金生 剛 ,  西 恒寛 ,  中島 睦雄 ,  長谷川 幸士 ,  畠山 潤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128044
公開番号（公開出願番号）：特開2000-186118
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示されるエステル化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R4を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R4を示す。R3は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示す。R4は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。kは0又は1である。mは0又は1、nは0、1、2、3のいずれかであり、2m+n=2又は3を満足する数である。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるエステル化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R4を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R4を示す。R3は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示す。R4は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。kは0又は1である。mは0又は1、nは0、1、2、3のいずれかであり、2m+n=2又は3を満足する数である。)

IPC (3件)：

C08F 32/00 ,  C07C 69/753 ,  G03F 7/039 601

FI (3件)：

C08F 32/00 ,  C07C 69/753 C ,  G03F 7/039 601

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 酸不安定性ペンダント基を有する多環式ポリマーからなるフォトレジスト組成物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-512109   出願人：ザビー.エフ.グッドリッチカンパニー