特許

J-GLOBAL ID：200903055541756560

半導体装置

発明者： 冨田 至洋 ,  阿部 俊一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-002092
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209054
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子の載置部端面に応力が集中するのを防止し、成形性が良好で、放熱性が良く、信頼性の高い半導体装置を得る。【構成】 半導体素子1を搭載する載置部2の端面近傍2aは、封止材6によって額縁状に封止されている。載置部2の裏面中央は、封止材6に封止されずに露出面2bを形成している。半導体装置の薄型化に伴い封止材6による封止部総厚みDが薄くなり、載置部2下の封止材厚みd3が極薄化した場合でも、端面近傍2aの幅d4だけ樹脂成形すればよい。また、端面近傍2aの幅d4を小さくすれば、露出面2bを大きくすることができ、放熱効果が増大する。【効果】 樹脂の成形性が良好で、かつ高放熱、高信頼性の半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、この半導体素子を固着、搭載する載置部と、上記半導体素子と電気的に導通される内部リードと、上記半導体素子と上記内部リードとを電気的に導通する導通手段と、上記半導体素子、上記載置部、上記内部リード及び上記導通手段を封止する封止材と、上記内部リードが上記封止材から外部に延長して形成された外部リードとを備えた半導体装置であって、上記載置部の端面近傍は上記封止材に額縁状に封止され、上記載置部の端面近傍を除いた上記載置部の半導体素子が搭載されていない面の中央は上記封止材に封止されずに露出して露出面を形成していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-055172
  
• 特開昭60-256576
  
• 特開平4-306865