半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-119090
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312735
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】配線パターンが交差する部分の層間絶縁膜の絶縁耐圧の向上を図る。【解決手段】半導体基板11上に第1層目の配線パターン12を設けると共に、これに沿うように距離a(μm)を存してダミー導体パターン13をフローティング電極として設ける。この上に層間絶縁膜14を介して第2層目の配線パターン15を設ける構成とする。この構造により、絶縁膜14の膜厚いが、第1層目の配線パターンのエッジ部12aにおいて、局部的に小さくなることを抑制すると同時に、配線パターン12と15との間に高電圧が印加された場合に、ダミー導体パターン13により電圧が分担される。以上の効果により、層間絶縁膜14の絶縁耐圧の向上を図ることができるようになる。

請求項（抜粋）：

半導体基板(11,22)上に絶縁膜(14,32)を介して複数層の導体パターン(12,15,29,33)を備えた半導体装置において、前記複数層の導体パターン(12,15,29,33)のうちで、上下に位置する導体パターンが前記絶縁膜(14,32)を介して交差するように配置されている部分に、その下層側に位置する第1の導体パターン(12,29)の幅方向に所定間隔を存した両側の位置に上層側に位置する第2の導体パターン(15,33)の幅寸法よりも広い長さ寸法を有するダミー導体パターン(13,30,31)を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 W , H01L 21/88 S

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