特許
J-GLOBAL ID：200903055555091286

圧電振動片の製造方法

発明者：
中村 英明

中村 英明 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-056061
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261557
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【解決手段】 ATカット水晶ウエハ21の表面に耐蝕膜22、23とフォトレジスト膜24とを成膜し、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト膜をパターニングし、水晶振動片1の外形形状に対応する耐蝕膜の領域を露出させ、エッチングして水晶ウエハ表面を露出させ、この水晶ウエハの露出部分をエッチングして振動片の外形形状を加工する。更に、残存するフォトレジスト膜をパターニングして、水晶振動片の振動部1aの凹陥形状に対応する耐蝕膜の領域を露出させ、エッチングして水晶ウエハ表面を露出させ、或る深さまでハーフエッチングして薄肉化し、振動部の凹陥形状を加工する。耐蝕膜のエッチングでフォトレジスト膜の表面に形成された変質層28は、パターニング前に酸素プラズマを用いたドライエッチングにより除去する。【効果】 最初のフォトレジスト膜をそのまま利用するので、工程を簡略化し、工数を削減して作業効率を向上させ、作業コストを低減できる。
請求項（抜粋）：
圧電材料からなる基板の表面に耐蝕膜及びその上にフォトレジスト膜を成膜し、前記フォトレジスト膜に第1のパターニングをして、圧電振動片の外形形状に対応する前記耐蝕膜の第1領域を露出させ、露出させた前記耐蝕膜の第1領域をエッチングにより除去して前記基板の表面を露出させ、残存する前記フォトレジスト膜に第2のパターニングをして、前記圧電振動片の振動部の凹陥形状に対応する前記耐蝕膜の第2領域を露出させ、露出させた前記基板の部分をエッチングにより除去して、前記圧電振動片の外形形状を加工し、露出させた前記耐蝕膜の第2領域をエッチングにより除去して前記基板の表面を露出させ、露出させた前記基板の部分をハーフエッチングして薄肉化し、前記圧電振動片の振動部の凹陥形状を加工することを特徴とする圧電振動片の製造方法。
IPC (2件)：
H03H 3/02 ,  H01L 41/22
FI (2件)：
H03H 3/02 B ,  H01L 41/22 Z
Fターム (1件)：
5J108MM11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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