特許

J-GLOBAL ID：200903055555643424

カルコパイライト化合物薄膜の製造方法

発明者： 渡辺 隆行 ,  松井 正宏
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003872
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195499
出願日： 1995年01月13日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【構成】 元素周期律表Ib族元素が過剰で、且つS、Se又はTe元素の含有量が少ない層と元素周期律表IIIb族元素が過剰で、且つS、Se又はTe元素の含有量が多い層からなる積層膜をS、Se又はTe元素を含有するガス雰囲気中で熱処理するカルコパイライト型化合物薄膜の形成方法及び該方法で得られた薄膜を用いる薄膜太陽電池の製造方法。【効果】 薄膜の表面形態及び面内組成の均一性が良好で、かつ大きな結晶粒径を有するカルコパイライト型化合物薄膜を作製できる。また、変換効率の高い薄膜太陽電池を作製できる。

請求項（抜粋）：

元素周期律表のIb族元素、IIIb族元素及びカルコゲン元素(S、Se及びTe)からなり、且つIb族元素/IIIb族元素≧1(モル比)である薄膜を第1層として基板上に形成し、次いで、Ib族元素/IIIb族元素<1(モル比)で、且つカルコゲン元素/(Ib族元素+IIIb族元素)(モル比)が第1層のそれより大きく1未満である薄膜を第2層として第1層上に形成することにより得られた薄膜を上記カルコゲン元素を含有する雰囲気中で熱処理することを特徴とするカルコパイライト型化合物薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  C23C 14/06