特許

J-GLOBAL ID：200903055560870935

強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜コンデンサの製造方法

発明者： 白川 幸彦 ,  笹村 茂 ,  山本 恭之
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021569
公開番号（公開出願番号）：特開平9-208394
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：

【要約】【課題】 高密度で信頼性が高く、十分高温まで強誘電体特性が得られるニオブ酸ストロンチウムバリウム薄膜を簡便な方法で製造する方法と、この方法を利用した強誘電体薄膜コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 (SrxBa1-x)Nb2O6(0.2≦x≦0.4)で示さるニオブ酸ストロンチウムバリウム強誘電体薄膜の製造方法に於いて、上記強誘電体薄膜の組成に対し、ニオブ(Nb)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)及び酸素(O)の焼結体により構成されるターゲットの組成に於けるニオブ含有量が2〜10重量%の範囲で過剰で、且つバリウム含有量が8〜18重量%の範囲で過剰であり、上記単一のターゲットを用いてスパッタリング成膜する強誘電体薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

(SrxBa1-x)Nb2O6(0.2≦x≦0.4)で示さるニオブ酸ストロンチウムバリウム強誘電体薄膜の製造方法に於いて、上記強誘電体薄膜の組成に対し、ニオブ(Nb)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)及び酸素(O)の焼結体により構成されるターゲットの組成に於けるニオブ含有量が2〜10重量%の範囲で過剰で、且つバリウム含有量が8〜18重量%の範囲で過剰であり、上記単一のターゲットを用いてスパッタリング成膜する強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (14件)：

C30B 29/30 ,  C01G 33/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/58 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/12 400 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (10件)：

C30B 29/30 ,  C01G 33/00 A ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/58 A ,  H01G 4/12 400 ,  H01G 4/10 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371