不揮発性半導体記憶装置の製造方法及び不揮発性半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-000327
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189439
出願日： 2000年01月05日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】正確なメモリセルの読み出しができ、高集積化に適し、製造歩留まりの高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置の製造方法が、トレンチ分離に挟まれた半導体基板の表面に、ソース領域とドレイン領域とを形成し、該ソース領域と該ドレイン領域に挟まれたチャネル領域上に、トンネル膜を介してフローティングゲート電極を形成する不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、該半導体基板の表面から突出した少なくとも2つのトレンチ分離を形成する分離工程と、該ソース領域と該ドレイン領域とを形成するソース/ドレイン領域形成工程と、該ソース/ドレイン領域形成工程後に、該フローティングゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

トレンチ分離に挟まれた半導体基板の表面に、ソース領域とドレイン領域とを形成し、該ソース領域と該ドレイン領域に挟まれたチャネル領域上に、トンネル膜を介してフローティングゲート電極を形成する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、上端が該半導体基板の表面から突出した少なくとも2つのトレンチ分離を形成する分離工程と、該ソース領域と該ドレイン領域とを形成するソース/ドレイン領域形成工程と、該ソース/ドレイン領域形成工程後に、該フローティングゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (63件)：

5F001AA25 , 5F001AA31 , 5F001AA43 , 5F001AB02 , 5F001AB09 , 5F001AC02 , 5F001AD17 , 5F001AD60 , 5F001AE02 , 5F001AE03 , 5F001AE08 , 5F001AF25 , 5F001AG02 , 5F001AG07 , 5F001AG10 , 5F001AG12 , 5F001AG21 , 5F001AG30 , 5F083EP13 , 5F083EP27 , 5F083EP55 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083EP77 , 5F083ER03 , 5F083ER09 , 5F083ER14 , 5F083ER19 , 5F083ER21 , 5F083ER30 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083GA22 , 5F083GA27 , 5F083JA04 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083NA01 , 5F083PR09 , 5F083PR29 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F101BA07 , 5F101BA13 , 5F101BA28 , 5F101BB02 , 5F101BB17 , 5F101BC02 , 5F101BD07 , 5F101BD35 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF09 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F101BH09 , 5F101BH14 , 5F101BH16 , 5F101BH19

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