特許

J-GLOBAL ID：200903055565656818

パタ-ン形成方法

発明者： 佐藤 康彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007580
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206704
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 下層膜をパターニングする方法において、その上層のレジストパターンの膜減りを抑制するとともに、垂直な側壁を有し、断面が矩形の良好な形状を有するパターンを高い解像度、かつ高い寸法精度で形成する方法を提供する。【解決手段】 被加工膜上に、シリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン化合物を含有する有機シリコン膜を形成する工程、前記有機シリコン膜上に、レジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをマスクとして用いて、有機シリコン膜の露出部を選択的に酸化処理する工程、及び前記有機シリコン膜の酸化処理された部分を、フッ素を含む雰囲気中で溶解除去する工程を具備するパターン形成方法である。

請求項（抜粋）：

被加工膜上に、シリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン化合物を含有する有機シリコン膜を形成する工程、前記有機シリコン膜上に、レジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをマスクとして用いて、有機シリコン膜の露出部を選択的に酸化処理する工程、および前記有機シリコン膜の酸化処理された部分を、フッ素を含む雰囲気中で溶解除去する工程を具備するパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/11 502 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/11 502 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (37件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025CB17 ,  2H025CB29 ,  2H025CB41 ,  2H025CC17 ,  2H025DA13 ,  2H025DA14 ,  2H025DA29 ,  2H025DA34 ,  2H025DA40 ,  2H025FA17 ,  2H025FA39 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096CA01 ,  2H096CA02 ,  2H096CA06 ,  2H096CA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096GA08 ,  2H096HA15 ,  2H096HA24 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096KA19