特許

J-GLOBAL ID：200903055568520445

歪量子井戸レーザーの製造方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069569
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283478
出願日： 1994年04月07日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 界面特性にすぐれた歪量子井戸構造を有する歪量子井戸レーザを構成する。【構成】 歪量子井戸構造のウエル層13とバリア層14の成長に当たって硫黄を含むガスプラズマに成長面をさらす。

請求項（抜粋）：

歪量子井戸構造を構成する活性層を少なくとも含む半導体層を積層する結晶成長工程を少なくとも工程内に有する半導体レーザーの製造方法において、上記歪量子井戸構造のウエル層とバリア層の成長に先立って、その成長面を硫黄を含むガスプラズマにさらす工程を含む事を特徴とする歪量子井戸レーザーの製造方法。