特許
J-GLOBAL ID:200903055571256813
半導体基板ドライエッチング装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-234464
公開番号(公開出願番号):特開平6-084838
出願日: 1992年09月02日
公開日(公表日): 1994年03月25日
要約:
【要約】【目的】半導体基板ドライエッチング装置において、エッチング終点検出の際エッチング処理室から導出するプラズマ光量を常に一定にして、エッチング終点検出を安定化させる。【構成】エッチング処理室1より発生するプラズマ光を遮光板3を透過してエッチング終点検出器4に到達させる。プラズマ光は光/電気変換器5で電気信号にし、位置制御部6に取り入れ、駆動機構部7を制御して遮光板3を上下方向に駆動させる。これにより最適なプラズマ光がエッチング終点検出器4に到達し、エッチング終点検出を安定化させる。
請求項(抜粋):
プラズマを励起させ半導体基板をエッチングする半導体基板ドライエッチング装置において、エッチング処理室とエッチング終点検出器との間に常にプラズマ光量が一定となる遮光手段を有することを特徴とする半導体基板ドライエッチング装置。
IPC (2件):
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