特許

J-GLOBAL ID：200903055571338208

ドライエッチング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-351306
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166764
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 クロロフルオロカーボン(CFC)ガスを用いずに、GaAs/AlGaAs積層系の高異方性,高選択性,低汚染エッチングを行う。【構成】 HEMTのゲート・リセス加工において、n+ -AlGaAs層4上のn+ -GaAs層5をS2 F2 /S2 Cl2 /N2 混合ガスを用いてエッチングする。Ga,Asは、フッ化物,塩化物等の形で除去される。また、気相中に放出されるSがN2 と反応してポリチアジル(SN)x を主体とする窒化イオウ系化合物が生成し、これが側壁保護膜7を形成する。したがって、異方性形状を有するリセス5aが得られる。下地のn+ -AlGaAs層4が露出面上では、S2 F2 から生成するF* の寄与によりAlFx が形成され、エッチングが停止する。窒化イオウ系化合物は、ウェハ加熱により容易に昇華,分解できる。

請求項（抜粋）：

Alを含む化合物半導体層の上に積層されたAlを含まない化合物半導体層を選択的に除去するドライエッチング方法において、放電解離条件下でプラズマ中に少なくともF系化学種と、S系化学種と、N系化学種とを生成し得るエッチング・ガスを用い、被エッチング基板上に窒化イオウ系化合物を堆積させながら前記Alを含まない化合物半導体層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。