特許
J-GLOBAL ID：200903055581870390
超電導量子干渉素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001590
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209125
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】 高感度な磁束計用SQUIDを提供する。【構成】 SQUIDの周囲に超電導ループを構成しないようにグランドプレーンを配し、そのグランドプレーンとワッシャコイルとの磁気結号によりSQUIDのインダクタンスが低下するように配置する。【効果】 磁束伝達率と磁束電圧変換効率の向上により信号のS/N比が改善されるので高感度な磁束計用SQUIDが実現できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも、1つ以上のジョセフソン接合と、前記ジョセフソン接合を含んで閉ループを構成した超電導体より成るインダクタンス部分と、前記インダクタンス部分に磁束を結合させるための超電導体より成る入力コイル、からなる超電導量子干渉素子において、前記インダクタンス部分を構成する超電導体の周囲に、他の超電導体をそれ自身が超電導ループを形成しないように配置したグランドプレーンを設け、かつ、前記超電導量子干渉素子の下部には他の超電導体が存在しないことを特徴とする超電導量子干渉素子。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, G01R 33/035 ZAA
