特許

J-GLOBAL ID：200903055582867326

窒化ガリウム系化合物半導体のエッチング及び電極形成方法

発明者： 真部 勝英 ,  小滝 正宏 ,  森 正樹 ,  橋本 雅文
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  新技術事業団
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032658
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274081
出願日： 1989年09月22日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体におけるエッチング方法の提供及び電極のオーミック性を改良すること。【解決手段】 塩素又は/及びフッ素を含むガスのプラズマガスで、少なくともガリウム及び窒素を含む化合物半導体のドライエッチングが可能となった。又、少なくともガリウム及び窒素を含む化合物半導体をドライエッチングする方法において、不活性ガスのプラズマガスでドライエッチングすることで、その面に形成される電極のオーミック性が向上した。さらに、塩素又は/及びフッ素を含むガスのプラズマガスで化合物半導体をドライエッチングし、ドライエッチングされた化合物半導体の面を、続いて、不活性ガスのプラズマガスでドライエッチングすることで、その面に形成される電極のオーミック性が向上した。

請求項（抜粋）：

塩素又は/及びフッ素を含むガスのプラズマガスで、少なくともガリウム及び窒素を含む化合物半導体をドライエッチングする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/88 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-009442
  
• 特開昭51-028483
  
• 特開昭63-126272