特許

J-GLOBAL ID：200903055585376820

多層配線基板及びその製造方法

発明者： 加藤 輝武 ,  仲山 浩偉 ,  岩本 由子 ,  橋本 悟 ,  森田 守
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-097312
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310866
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】有機高分子絶縁層を配線層間絶縁膜とする多層配線基板において、製造工程を増加させずに配線層と絶縁層との反応を良好に防止し、信頼性の高い多層配線基板を実現することにある。【構成】セラミック基板1上に下地導体膜2を介して電解めっきで表面の平坦な配線導体(銅)3を形成し、次いで、無電解めっきにより配線導体3表面を反応防止膜4で覆い、その上をさらに酸化防止膜8で覆う。酸化防止膜8の形成は、例えば金の置換めっきにより行うのが望ましく、これにより下地の反応防止膜4の表層部を溶解しながら、その跡に金めっきするので、表面清浄化のための特別な表面処理工程は不要となる。さらにポリイミド層間絶縁膜6の形成、配線接続用の穴開け、第2の配線層の下地導体膜7の形成の各工程を経て、上記配線導体(銅)3の形成工程から下地導体膜7の形成工程までを配線の積層数に見合った回数繰返す。

請求項（抜粋）：

セラミック基板上の下地導体膜を介して形成された配線層の表面及び側面に、反応防止膜と酸化防止膜との2層膜を積層被覆し、層間絶縁膜として有機高分子絶縁層を形成して成る多層配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/28 ,  H05K 3/38

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-060192
  
• 特開平2-188992
  
• 特開昭48-070061