特許

J-GLOBAL ID：200903055586277558

半導体装置

発明者： 山本 靖浩 ,  榎本 和宏
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216614
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049155
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 金属配線の腐食を防止し、配線の断線及び接続抵抗増大を低減した半導体装置を提供する。【解決手段】 一般式(I)【化1】(式中Rは、炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜2の正数を意味し、複数個のRは同一でも異なっていてもよい)で表されるアルコキシシラン化合物を触媒および有機溶媒下で加水分解、重縮合させて得られるシロキサンオリゴマー並びにアンモニア、アルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン及びアリールアミンからなる群から選ばれる少なくとも一種の塩基性化合物を含むシリカ系被膜形成用塗布液を用いて形成されてなるシリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置。

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】(式中Rは、炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜2の正数を意味し、複数個のRは同一でも異なっていてもよい)で表されるアルコキシシラン化合物を触媒および有機溶媒下で加水分解、重縮合させて得られるシロキサンオリゴマー並びにアンモニア、アルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン及びアリールアミンからなる群から選ばれる少なくとも一種の塩基性化合物を含むシリカ系被膜形成用塗布液を用いて形成されてなるシリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 K

Fターム (13件)：

5F033AA66 ,  5F033BA17 ,  5F033BA44 ,  5F033EA05 ,  5F033EA06 ,  5F033EA29 ,  5F058AA04 ,  5F058AC03 ,  5F058AD04 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02