特許

J-GLOBAL ID：200903055586517320

光起電力装置の製造方法

発明者： 酒井 総一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 藤田 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092318
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274529
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 非晶質半導体及び第2電極の分断を防ぎ、光起電力装置の特性の低下を防止する。【解決手段】 基板1上に第1電極2,非晶質半導体3,第2電極4の順で形成された光起電力素子が複数個直列され、基板1上に形成された第1電極をレーザにより所定のパターンになるように除去した後、レーザビーム6を少なくとも除去部分の両端部を含む第1電極2と、除去部分に照射する。

請求項（抜粋）：

基板上に第1電極,非晶質半導体,第2電極の順で形成された光起電力素子が複数個直列接続された光起電力装置の製造方法において、前記基板上に形成された前記第1電極をレーザにより所定のパターンになるように除去した後、レーザビームを少なくとも除去部分の両端部を含む前記第1電極と、前記除去部分に照射することを特徴とする光起電力装置の製造方法。