半導体装置および半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307657
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127289
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】新規な構成による半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】N型のシリコン基板1において少なくとも側壁が低濃度となったトレンチ5を形成し、トレンチ5内をP型エピタキシャル膜14で埋め込む。所定深さに特定の原子の層17を埋め込んだシリコン基板15と、トレンチ5を形成したシリコン基板1とを直接接合にて貼り合わせ、熱処理することによってシリコン基板15の原子埋込層17で剥離し、トレンチ5を形成した基板1の上に薄いN型シリコン層18を配置する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体支持基板(1)と、前記半導体支持基板(1)に形成され、基板表面から深さ方向に延び、基板表面と平行な任意の面内での横広がり寸法よりも基板表面の法線方向の広がり寸法の方が大きい第2導電型の拡散領域(6)と、前記半導体支持基板(1)上に形成され、前記半導体支持基板(1)とは面方位が異なる第1導電型の半導体層(4)と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 21/74 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/02 B , H01L 21/20 , H01L 21/74 , H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 658 E

Fターム (5件)：

5F052DA01 , 5F052DB01 , 5F052GC03 , 5F052JA01 , 5F052KB01

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