特許

J-GLOBAL ID：200903055594771219

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 星野 裕 ,  中村 英明 ,  池田 修二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-282356
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148653
出願日： 1994年11月17日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 低電圧動作ができるSRAMを備えている半導体集積回路装置と、それを容易に製造することができる製造方法を提供する。【構成】 SRAMのメモリセルを構成している転送用MOSFETの周辺のチャネルストッパ19の不純物濃度は、駆動用MOSFETの周辺のチャネルストッパ18の不純物濃度よりも低く、転送用MOSFETのしきい電圧は駆動用MOSFETのしきい電圧よりも小さく、駆動用MOSFETのチャネル領域に埋め込み拡散層25を設け、グランド線として金属配線層62と上層配線層64とからなる2層構造のものとする。

請求項（抜粋）：

SRAMのメモリセルを構成している転送用MOSFETおよび駆動用MOSFETを備えている半導体集積回路装置であって、前記転送用MOSFETの周辺のチャネルストッパの不純物濃度は前記駆動用MOSFETの周辺のチャネルストッパの不純物濃度よりも低く、前記転送用MOSFETのしきい電圧は前記駆動用MOSFETのしきい電圧よりも小さく、前記駆動用MOSFETのチャネル領域には埋め込み拡散層が設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 27/08 331 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11

FI (2件)：

H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/10 381