特許
J-GLOBAL ID：200903055595902309
シリコン薄膜の形成方法及びインクジェットヘッドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-134317
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323450
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板に高濃度にドープされた拡散層の濃度低下を抑え、シリコン薄膜の厚さバラツキ低減及び表面粗さの低減を可能にしたシリコン薄膜を形成する。【解決手段】 シリコン基板に高濃度にドープされた拡散層14を形成した後、シリコンエッチング時の保護膜として、プラズマCVDを利用したTEOS膜または窒化膜15をキャビティ板4に堆積させる。
請求項（抜粋）：
シリコン薄膜の形成方法において、1×1019atm/cm2以上の濃度で、シリコン基板に不純物を拡散させる工程と、プラズマCVDにより、TEOS膜もしくは窒化膜からなる保護膜をシリコン基板に形成する工程と、前記保護膜を用いて、シリコン基板をウェットエッチングし、シリコン薄膜を形成する工程を含むことを特徴とするシリコン薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/306 B
, B41J 3/04 103 H
2C057AF24
, 2C057AF93
, 2C057AG14
, 2C057AG54
, 2C057AP02
, 2C057AP33
, 2C057AP53
, 2C057AQ02
, 2C057BA04
, 5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043DD02
, 5F043DD30
, 5F043FF06
, 5F043GG10
