特許

J-GLOBAL ID：200903055598564307

薄膜の製造方法及び製造装置

発明者： 岡崎 禎之 ,  本田 和義 ,  ▲高▼井 より子 ,  酒井 仁 ,  稲葉 純一 ,  伊藤 修二 ,  樋口 洋
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086795
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277915
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】 反応蒸着法において、反応性ガスとの反応を促進し、安定した組成を有する薄膜を製造する。【解決手段】 反応性ガスを導入しながら真空蒸着を行なうことにより支持体20上に薄膜を製造する方法であって、複数の細管の集合体からなるノズル40を用い、加熱された前記反応性ガスを分割されたガス流束の集合体として前記反応性ガスを前記薄膜の形成部分へ導入する。

請求項（抜粋）：

反応性ガスを導入しながら真空蒸着を行なうことにより支持体上に薄膜を製造する方法であって、複数の細管の集合体からなるノズルを用い、加熱された前記反応性ガスを分割されたガス流束の集合体として、前記反応性ガスを前記薄膜の形成部分へ導入することを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/24 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/58

FI (3件)：

C23C 14/24 M ,  H01M 4/02 C ,  H01M 4/58

Fターム (11件)：

4K029CA02 ,  4K029DA05 ,  4K029DA08 ,  4K029EA08 ,  5H050AA08 ,  5H050BA16 ,  5H050CA07 ,  5H050CB11 ,  5H050GA02 ,  5H050GA24 ,  5H050HA14