特許
J-GLOBAL ID：200903055598585495
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-173675
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021402
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置における平坦なスムースコート絶縁膜の形成。【構成】 基板1上に形成された段差パターン上にシリコン酸化膜4を形成し、このシリコン酸化膜4上にスムースコート絶縁膜5を形成し、このスムースコート絶縁膜5の前面を異方性のドライエッチング処理して所定の膜厚にまでエッチング除去した後、熱処理を行う。【効果】 スムースコート絶縁膜形成時における空洞の発生が防止でき、平坦なスムースコート絶縁膜の形成が行われて、段差被覆性が向上し、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
段差パターンが形成された半導体基板上にスムースコート絶縁膜を形成する第1の工程と、上記スムースコート絶縁膜の全面を異方性のエッチング処理をして所定の膜厚にまでエッチング除去する第2の工程と、上記所定膜厚のスムースコート絶縁膜を熱処理する第3の工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/316
