特許

J-GLOBAL ID：200903055604317597

半導体装置

発明者： 大川 和彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-287705
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129748
出願日： 1995年11月06日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】高融点金属シリサイドを形成する工程を含む半導体装置において、回路面積を増大させずに静電気耐圧を維持し、かつトランジスタ能力の向上をはかる。【解決手段】ラテラルバイポーラを構成する不純物拡散領域には、高融点金属シリサイドを形成せず、ドライバートランジスタ部には高融点金属シリサイドを形成する。また、ドライバートランジスタを構成する不純物拡散領域と素子分離領域とが接する部分周辺には高融点金属シリサイドを形成しない。【効果】高融点金属シリサイドが形成される場合にも静電気耐圧を維持し、低抵抗化された不純物拡散領域と多結晶シリコンによって、面積の増加無しに高駆動トランジスタを実現する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、入力/出力/入出力回路が周辺部に複数個配列されてなる半導体装置において、前記入力/出力/入出力回路の入力/出力/入出力パッドは、第1導電型の第1のウエル上に形成され、素子分離領域によって互いに電気的に分離されて隣接する複数の第2導電型不純物拡散領域のうちの少なくとも1つの第2導電型不純物拡散領域と、複数の第1導電型および第2導電型のMOSFETのドレイン領域に、導電層により直接あるいは不純物拡散領域または結晶シリコンからなる抵抗を介して接続され、前記入力/出力/入出力パッドに接続された前記第2導電型不純物拡散領域上には、高融点金属蒸着前に酸化膜が形成されることによって高融点金属シリサイドが形成されず、前記入力/出力/入出力パッドに接続された前記第1導電型および第2導電型のMOSFETのドレイン領域上には高融点金属シリサイドが形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (6件)：

H01L 27/08 321 H ,  H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/82 P ,  H01L 27/04 D ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/72