特許

J-GLOBAL ID：200903055607463691

半導体発光素子の回折格子の形成方法

発明者： 細井 洋治 ,  坪田 孝志
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203555
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053600
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体発光素子の不均一な深さの溝を具えた回折格子を再現性良く、容易に形成する。【構成】 InP基板上に部分的に第1パタ-ン層20を形成する。この第1パタ-ン層20上および開口部22に露出した基板上に、回折格子のパタ-ンと同一のパタ-ンを有する第2パタ-ン層30を形成する。そして、この第1パタ-ン層30をマスクとして用いて、このInP基板をリアクティブイオンエッチングして、第1パタ-ン層20の無い部分に深い溝40を形成し、第1パタ-ン層20のある部分は、この第1パタ-ン層のエッチング後に基板をエッチングして浅い溝42を同時に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体発光素子の不均一な深さの溝を具えた回折格子の形成にあたり、溝が形成されるべき下地上であって、深い溝の形成予定領域上に開口部を位置させ、かつ、浅い溝の形成予定領域上に第1パタ-ン層を位置させるように当該第1パタ-ン層を形成する工程と、該第1パタ-ン層上および前記開口部に露出した下地上に、形成されるべき回折格子のパタ-ンと同じパタ-ンの第2パタ-ン層を形成する工程と、前記第2パタ-ン層をマスクとして用いて、一回のドライエッチングを行って、前記深い溝の形成予定領域には前記下地の表面から深い溝を形成すると同時に、前記浅い溝の形成予定領域には前記第1パタ-ン層から前記下地の領域に達する溝をそれぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の不均一な深さの溝を具えた回折格子の形成方法。