特許
J-GLOBAL ID：200903055615489888
酸窒化シリコン膜の形成方法及び形成装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 黒川 弘朗
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-121436
公開番号（公開出願番号）：特開2005-307222
出願日： 2004年04月16日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】希土類元素が添加されたSiON膜が形成できるようにする。【解決手段】成膜室102とECRイオン源101の内部を真空排気し、ECRイオン源101において電子サイクロトロン共鳴法によりアルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとによるプラズマを生成し、生成したプラズマをイオン引出口101aより引き出し、ソースガス導入部107よりシランガスを供給している基板105の表面に引き出したプラズマを照射し、基板105の上に酸窒化シリコンを堆積すると共に、希土類金属ターゲット111に高周波電圧を印加してスパッタ現象を起こし、希土類金属ターゲット111を構成する希土類元素を飛び出させて基板105に到達させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
希土類金属から構成されたターゲットが内部に固定された成膜室の内部に膜形成対象の基板を載置する第1工程と、
前記成膜室とこれにプラズマ引出口を介して連通するプラズマ生成室の内部を真空排気する第2工程と、
前記プラズマ生成室において電子サイクロトロン共鳴法により生成したアルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとによるプラズマを発散磁場により前記プラズマ引出口より引き出し、シリコンソースガスを供給している基板の表面に引き出した前記プラズマを照射して前記基板の上に酸窒化シリコンを堆積すると共に、
前記ターゲットに電力を印加して前記プラズマ中のイオンを前記ターゲットに衝突させてスパッタ現象を起こすことで、前記ターゲットを構成する希土類元素を飛び出させて前記基板に到達させ、
前記基板の上に前記希土類元素が添加された酸窒化シリコン膜が形成された状態とする第3工程と
を備えることを特徴とする酸窒化シリコン膜の形成方法。
IPC (5件)：
C23C16/42
, C23C14/34
, C23C16/46
, C23C16/50
, H01S3/06
C23C16/42
, C23C14/34 S
, C23C16/46
, C23C16/50
, H01S3/06 B
4K029BC07
, 4K029CA05
, 4K030BA44
, 4K030BA59
, 4K030EA01
, 4K030FA01
, 4K030FA08
, 4K030LA04
, 4K030LA12
, 4K030LA16
, 5F172AE12
, 5F172AF03
, 5F172AM08
