特許
J-GLOBAL ID:200903055616875595
液晶表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-230447
公開番号(公開出願番号):特開2000-066233
出願日: 1998年08月17日
公開日(公表日): 2000年03月03日
要約:
【要約】【課題】しきい値特性の急峻な有機半導体を用いたFET及び、そのFETを用いた低コストで低消費電力,高画質の液晶表示装置を提供する。【解決手段】基板1上に、ゲート電極2,半導体層3,ドレイン電極4,ソース電極5を有するFETを用いた液晶表示装置において、半導体層3にテトラチオテトラセン,テトラセレノテトラセン,テトラテルルテトラセンあるいはそれらの化合物の誘導体を用いる。
請求項(抜粋):
半導体層に下記一般式(化1)(X1 ,X2 ,X3 ,X4 のそれぞれはS,SeもしくはTeを表わす。また、R1,R2,R3,R4は水素もしくはアルキル,ハロゲンなどの置換基を表わす。)で表わされる化合物を用いた電界効果型トランジスタを有する液晶表示装置。【化1】
IPC (3件):
G02F 1/136 500
, H01L 51/00
, H01L 29/786
FI (3件):
G02F 1/136 500
, H01L 29/28
, H01L 29/78 618 B
Fターム (17件):
2H092KA05
, 2H092KA09
, 2H092KA12
, 2H092KA13
, 2H092KA18
, 2H092KA20
, 2H092KB13
, 2H092KB14
, 2H092KB24
, 2H092MA04
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA13
, 2H092MA17
, 2H092NA24
, 2H092NA25
, 2H092NA28
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