特許
J-GLOBAL ID：200903055616945070
多孔質低誘電率材料のプラズマ硬化法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
宮崎 昭夫
, 伊藤 克博
, 石橋 政幸
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-529516
公開番号（公開出願番号）：特表2005-503672
出願日： 2002年08月16日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
弾性率と膜硬度が向上した低誘電率多孔質材料。このような多孔質材料の製造方法は、多孔質誘電性材料を用意すること、およびこの多孔質誘電性材料をプラズマ硬化してプラズマ硬化多孔質誘電性材料を生成させることを含む。多孔質誘電性材料のプラズマ硬化により、弾性率と硬度は向上するが、誘電率はより大きい材料となる。弾性率の向上は、典型的には100%以上であり、より典型的には約200%以上である。膜硬度の向上は、典型的には約50%以上である。多孔質誘電性材料は、約350°Cより低い温度で、約15と約120秒の間の時間、プラズマ硬化される。任意選択で、プラズマ硬化された多孔質誘電性材料を、後プラズマ処理することができる。プラズマ硬化多孔質誘電性材料の後プラズマ処理により、プラズマ硬化多孔質誘電性材料との比較で、向上した弾性率と膜硬度は保たれたままで、材料の誘電率は低下する。この後プラズマ処理されたプラズマ硬化多孔質誘電性材料の誘電率は、約1.1と約3.5の間であり、弾性率と膜硬度は向上している。
請求項（抜粋）：
第1の誘電率をもち、第1の弾性率をもち、また第1の膜硬度をもつ多孔質誘電性材料であって、多孔質メチルシルセスキオキサン系誘電性材料ではない多孔質誘電性材料を用意すること、および
前記多孔質誘電性材料をプラズマ硬化して、前記第1の誘電率と同等か、より大きい第2の誘電率をもち、前記第1の弾性率より大きい第2の弾性率をもち、また前記第1の膜硬度より大きい第2の膜硬度をもつ、プラズマ硬化多孔質誘電性材料を生成させること、
を含むプラズマ硬化材料の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
4F074AA90
, 4F074BB22
, 4F074CB91
, 4F074CD11
, 4F074DA08
, 4F074DA47
, 4F074DA59
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF01
, 5F058AF04
, 5F058AG07
, 5F058AG08
, 5F058AH02
