特許
J-GLOBAL ID：200903055618240686
パワー半導体モジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-143271
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014948
出願日： 1993年06月15日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】半導体素子および各部品に熱電対を取り付けることによって、装置の使用中の温度を常時モニターし、各接合部の劣化および装置の冷却状況が把握できる電力用パワー半導体モジュールを提供すること。【構成】絶縁基板上に半導体素子および各電極が搭載され、その絶縁基板が放熱板に固着され全体を樹脂で覆われたパワー半導体モジュールにおいて、半導体素子および各部品に熱電対が取り付けられてなるパワー半導体モジュール。【効果】使用中の半導体素子および各部品の接合部の温度を常時モニターできるため、その温度上昇の変化から接合部の劣化の状況が把握でき、事前に故障を察知できる効果がある。
請求項（抜粋）：
放熱板上に固着された絶縁基板およびこの絶縁基板上に固着された複数の電極と、この電極上にそれぞれ固着された複数の半導体素子とこれら全体を樹脂で覆った構造のパワー半導体モジュールにおいて、上記各構成部品間の接合部の劣化を推定できる機構が具備されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
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