特許

J-GLOBAL ID：200903055621244994

光電変換素子

発明者： 奥野 哲啓 ,  横沢 雄二 ,  森内 荘太 ,  中嶋 一孝 ,  岡本 浩二
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062747
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267696
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 受光面の反対側の面のシリコン基板面での光生成キャリアの再結合を低減することにより、光電変換効率の改善を図る。【構成】 受光面の反対側の面のシリコン基板面にシリコン酸化膜7′またはシリコン窒化膜が形成され、さらにその上に、基板1内に空乏層を形成して光生成キャリアの再結合を著しく低減させるためのn型導電膜8が形成された構成とする。

請求項（抜粋）：

p型シリコン基板と、このp型シリコン基板の受光面側に形成されたn型半導体領域と、前記n型半導体領域の表面に配置された受光面電極と、前記p型シリコン基板の受光面側の反対側の面に配置された裏面電極とを有する光電変換素子であって、前記p型シリコン基板の受光面側の反対側の面にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜が形成され、該シリコン酸化膜上または該シリコン窒化膜上に前記裏面電極と分離してn型の導電膜が形成されていることを特徴とする光電変換素子。