特許
J-GLOBAL ID：200903055622769420
化合物半導体の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
箕浦 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-252550
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086159
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【構成】 非酸化性雰囲気の反応炉内でSi基板上に化合物半導体をエピタキシャル成長させる化合物半導体の成長方法において、該Si基板上に 800°C以下の温度で単結晶Si層を成長させる第1工程と、形成した該単結晶Si層上に 450°C以下の温度でGaAsバッファ層を50nm以下の厚さに成長させる第2工程と、該GaAsバッファ層を 700〜800 °Cの温度でアニールする第3工程と、該GaAsバッファ層上に III-V族化合物半導体をエピタキシャル成長させる第4工程とを有することを特徴とする化合物半導体の成長方法。【効果】 従来と同等の半導体特性を有するにもかかわらず反応炉内付着物の落下や装置の機械的な故障等の問題がなくなり、品質の優れた化合物半導体が安定して得られる。
請求項（抜粋）：
非酸化性雰囲気の反応炉内でSi基板上に化合物半導体をエピタキシャル成長させる化合物半導体の成長方法において、該Si基板上に 800°C以下の温度で単結晶Si層を成長させる第1工程と、形成した該単結晶Si層上に 450°C以下の温度でGaAsバッファ層を50nm以下の厚さに成長させる第2工程と、該GaAsバッファ層を 700〜800 °Cの温度でアニールする第3工程と、該GaAsバッファ層上に III-V族化合物半導体をエピタキシャル成長させる第4工程とを有することを特徴とする化合物半導体の成長方法。
IPC (2件)：
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