特許

J-GLOBAL ID：200903055624471932

レーザトリミング方法

発明者： 川嶋 将一郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032432
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235169
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置のレーザトリミング方法に関し,透明及び不透明なヒューズ部を一のレーザにより基板損傷が少なくトリミングすることを目的とする。【構成】 半導体基板上に配設された光吸収スペクトル特性が異なるヒューズ部に,15n 秒以下の一定のパルス幅を有し,570nmより短波長の可視光又は紫外線であって一定波長のレーザ光パルスを照射する発光装置を有することを特徴とし,及び,ヒューズ部は,その蒸発の際の蒸気圧により破裂して破裂痕を形成する保護膜により覆われ,かつ,金属又はシリサイドのヒューズ部と,シリコンのヒューズ部とを有してなり,発光装置は,ヒューズ部から熱伝導により保護膜が加熱され破裂するに十分なまで軟化するに至る時間より長く,15n 秒以下の一定のパルス幅を有し,250nm〜570nmの範囲内の一定波長のパルスを発生することを特徴として構成する。

請求項（抜粋）：

金属又はそのシリサイドからなる第1のヒューズ部及び多結晶シリコンからなる第2のヒューズ部が配設された半導体基板にレーザ光を照射して,該ヒューズ部の全部又は一部を除去する半導体装置のレーザトリミング方法において,固体多結晶シリコンに対する光透過率が下地の前記基板にダメージを与えない程度に十分小さく,且つ液体シリコン及び金属に対する光透過率が略0%の波長のレーザ光を選択し,該レーザ光で前記第1のヒューズ部及び第2のヒューズ部の全部又は一部を溶断することを特徴とするレーザトリミング方法。