特許
J-GLOBAL ID：200903055628082108
磁性積層構造体及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-319336
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244028
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 磁気的特性及び機械的強度を改善した積層センダスト薄膜構造体を与える。【構成】 基体61上のベース層62上に被着された第1のセンダスト合金のシード層63と、シード層63の上に被着した第2のセンダスト合金のバルク65層とを含む積層センダスト薄膜構造体は、バルク層のために用いられるセンダスト材料の組成の範囲を従来の範囲よりも拡大し、かつ、異方性磁界及びソフト磁気特性を顕著に改善する。シード層は単一のセンダスト層でもよく、或はガスでドープされたセンダスト合金層67とドープされないセンダスト合金層69とを交互に積層したセンダスト層でもよい。ドープ用のガスは、例えば窒素、酸素、または空気である。
請求項（抜粋）：
選択されたガスでドープされたケイ素-アルミニウム-鉄(SiAlFe)合金の第1の層と、上記SiAlFe合金の第2の層とを含んでおり、上記第1及び第2の層は交互に積層されている磁性積層構造体。
IPC (6件)：
H01F 10/14
, C23C 14/06
, G11B 5/147
, G11B 5/31
, G11B 5/39
, H01F 41/18
