特許

J-GLOBAL ID：200903055640438899

半導体製造方法

発明者： 佐藤 功 ,  大塚 博
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076247
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243142
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 構造材料の耐久性を向上させることができると共に、ウエハ加熱処理時における電力消費量を最小限に抑えることができるようにする。【構成】 複数個の加熱プレート10の温度を各々検出する温度センサ12からの検出に基づいて、複数個の加熱プレート10のうちウエハ7の処理温度に近い温度の加熱プレート10を選定する。この後、選定した加熱プレート10をCPU14を介して制御して処理温度に設定し、この加熱プレート10上にウエハ7を配置して加熱処理する。

請求項（抜粋）：

複数個の加熱プレートの温度を各々温度センサにより検出し、前記各加熱プレートの温度をCPUを介して制御して前記加熱プレート上に配置したウエハを加熱処理する半導体製造方法であって、前記温度センサからの検出に基づいて、前記複数個の加熱プレートのうち処理温度に近い温度の加熱プレートを選定する第1の工程と、選定した加熱プレートを前記処理温度に設定する第2の工程と、前記処理温度に設定した加熱プレート上に前記ウエハを配置する第3の工程とからなることを特徴とする半導体製造方法。