特許

J-GLOBAL ID：200903055646327924

半導体装置

発明者： 平野 博茂 ,  角 辰己
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-155106
公開番号（公開出願番号）：特開平7-141877
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 同一の電荷の充電および放電の動作ノードにおいても電荷の再利用が可能であり、低消費電力動作を実現する。【構成】 容量C1の第1のプレートが接地電圧に接続され、第2のプレートがスイッチSC1を介して電源電圧に接続され、スイッチSD1を介して接地電圧に接続されている。同様に容量C2の第1のプレートが接地電圧に接続され第2のプレートがスイッチSC2を介して電源電圧に接続され、スイッチSD2を介して接地電圧に接続されている。容量C0の第1のプレートが接地電圧に接続され、容量C1の第2のプレートと容量C0の第2のプレートがスイッチST1を介して接続され、容量C2の第2のプレートと容量C0の第2のプレートがスイッチST2を介して接続されている。

請求項（抜粋）：

第1の容量と第2の容量を有し、前記第1の容量は電荷回収用容量であり、前記第2の容量は電荷を充電するための第1の電源に第1のスイッチを介して接続され、前記第2の容量は電荷を放電するための第2の電源に第2のスイッチを介して接続され、前記第1の容量と第2の容量とが第3のスイッチを介して接続されていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-267802   出願人：シヤープ株式会社
• 特開昭52-117535