特許
J-GLOBAL ID：200903055649527169
熱絶縁構造体及びこれを用いた半導体マイクロアクチュエータ及び半導体マイクロバルブ及び半導体マイクロリレー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304729
公開番号（公開出願番号）：特開2000-317897
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：
【要約】【課題】熱絶縁効率が高く、かつ製造プロセスが簡単な熱絶縁構造体及びこれを用いた半導体マイクロアクチュエータ及び半導体マイクロバルブ及び半導体マイクロリレーを提供する。【解決手段】中央の可動エレメント5に連接され外方に延びる4つの可撓領域2がそれぞれポリイミド、フッ素化樹脂等の熱絶縁材料からなる熱絶縁領域7を介して、枠体となる半導体基板3に接合される。この熱絶縁領域7は、半導体基板3と可撓領域2との間の可撓領域2の厚み内に、可撓領域2とほぼ同じ厚さで設けられている。可撓領域2上の表面に設けられた不純物拡散抵抗等よりなる加熱手段6により可撓領域2が加熱されると、この可撓領域2上に設けられたアルミニウム薄膜またはニッケル薄膜などからなる薄膜4との熱膨張差で可撓領域2が撓み可動エレメント5が変位する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板から切り離され温度変化により変位する可撓領域と、前記半導体基板と前記可撓領域との間に設けられた熱絶縁領域とから構成されており、前記熱絶縁領域が前記可撓領域の厚み内に設けられることを特徴とする熱絶縁構造体。
IPC (6件)：
B81B 3/00
, F03G 7/06
, F16K 31/70
, H01H 37/52
, H01L 49/00
, H01H 61/01
B81B 3/00
, F03G 7/06
, F16K 31/70 Z
, H01H 37/52 B
, H01H 37/52 G
, H01L 49/00
, H01H 61/01 C
