半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-264065
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112191
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】高速動作するフリップフロップ回路の状態を強誘電体キャパシタの分極方向として不揮発に保持する。【解決手段】キャッシュメモリ領域(またはレジスタファイル領域)と強誘電体メモリ領域をビット線とアンプを共有して分離して形成する。通常動作時は、強誘電体メモリ領域をスイッチ回路で電気的に切り離す。

請求項（抜粋）：

複数の第一ワード線とこれに交差する複数のビット線の交点に複数個のフリップフロップ回路がマトリックスに配置された領域と、複数の第二ワード線とこれに交差する複数のビット線との交点に、電界効果トランジスタと強誘電体キャパシタとで構成される複数個の強誘電体メモリセルがマトリックスに配置された領域とを有し、上記フリップフロップ回路の接続するビット線と上記強誘電体メモリセルの接続するビット線とをスイッチを介して電気的に接続する手段を設けてなる半導体装置において、上記スイッチを接続状態として、上記強誘電体キャパシタに保持された分極方向としての不揮発情報を上記フリップフロップ回路の状態に転写する第一の動作モードと、上記スイッチを非接続状態として、上記フリップフロップ回路の状態を検知あるいは書換える第二の動作モードと、上記スイッチを接続状態として、上記フリップフロップ回路の状態を上記強誘電体キャパシタの分極方向としての不揮発情報に転写する第三の動作モードとを有し、上記第一及び第三の動作モードで情報の転写が行われる上記強誘電体キャパシタと上記フリップフロップ回路とは、一対一に確定していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G11C 14/00 , H01L 27/105 , H01L 27/10 451

FI (3件)：

G11C 11/34 352 A , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 441

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-005641 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-081398
特開平2-081398

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