特許

J-GLOBAL ID：200903055650809038

クロストーク検出方法、受光素子及びウエハ

発明者： 駒井 敦
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 稲本 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224879
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069617
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】 クロストークを低コストで、正確かつ容易に検出する。【解決手段】 シリコン基板21の表面上には、フォトダイオードからなる、複数の画素22(22a,22b,22c)が形成されており、各画素22間には、分離拡散23が形成されている。さらに、シリコン酸化膜24が、画素22及び分離拡散23の表面上に形成されている。アルミニウム膜からなるクロストーク測定用パターン25は、シリコン酸化膜24上に、所定の画素22b以外の画素への光の入射を制限するように形成されている。入射光26は、画素22bにのみ入射し、この状態で、画素22b、及び画素22bに隣接する画素22a,22cで発生する光電流を検出し、両者を比較することによって、クロストークが検出される。

請求項（抜粋）：

光を受光する複数の受光部と、前記受光部が表面上に形成されている基板とからなる受光素子に発生するクロストークを検出するクロストーク検出方法において、光の入射を制限する遮光パターンを、所定の前記受光部以外の前記受光部の受光面上に形成し、前記所定の受光部の出力信号と、前記所定の受光部以外の、前記遮光パターンが受光面上に形成されている前記受光部の出力信号とを測定して、両者を比較することを特徴とするクロストーク検出方法。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/146

FI (4件)：

H01L 27/14 Z ,  H01L 21/66 X ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 27/14 A