特許

J-GLOBAL ID：200903055665844727

磁化率測定方法、磁化率測定用目盛の作製方法、磁化率測定器及び磁化率測定装置

発明者： 谷本 能文 ,  藤原 昌夫
出願人/特許権者： ジャパンスーパーコンダクタテクノロジー株式会社 ,  国立大学法人広島大学
代理人 (2件)： 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-232843
公開番号（公開出願番号）：特開2007-047055
出願日： 2005年08月11日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】 磁化率測定方法と、磁化率測定用目盛の作製方法と、簡易な構成であり且つ容易な操作だけで反磁性材料の磁化率を測定できる磁化率測定器及び磁化率測定装置を得る。【解決手段】 磁化率が判明している複数種の反磁性材料を、勾配磁場を有する鉛直方向磁場内に一つずつ又は複数同時に浮揚させる。浮揚した前記反磁性材料の各位置及び各磁化率から、前記磁場内における反磁性材料における磁化率と浮揚位置との関係を算出する。磁化率が判明していない反磁性材料を前記磁場内において浮揚させ、この浮揚した位置を特定し、算出された前記磁化率と浮揚位置との関係を用いて前記浮揚した位置を磁化率に変換する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化率が判明している複数種の反磁性材料を、勾配磁場を有する鉛直方向磁場内に一つずつ又は複数同時に浮揚させる工程と、 浮揚した前記反磁性材料の各位置及び各磁化率から、前記磁場内における反磁性材料における磁化率と浮揚位置との関係を算出する工程と、 磁化率が判明していない反磁性材料を前記磁場内において浮揚させ、この浮揚した位置を特定し、算出された前記磁化率と浮揚位置との関係を用いて前記浮揚した位置を磁化率に変換する工程とを有する磁化率測定方法。

IPC (2件)：

G01R 33/16 ,  G01R 33/035

FI (2件)：

G01R33/16 ,  G01R33/035

Fターム (7件)：

2G017AA02 ,  2G017AA05 ,  2G017AD04 ,  2G017AD32 ,  2G017CA08 ,  2G017CB08 ,  2G017CB15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許公開2001-56316号公報
  

審査官引用 (1件)

• 特開平4-346087