特許

J-GLOBAL ID：200903055671687510

導電性偏光板およびその製造方法

発明者： 井上 一吉 ,  海上 暁 ,  大山 正嗣
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (1件)： 中村 静男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-131788
公開番号（公開出願番号）：特開平7-333438
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 偏光板の変形や偏光度の低下をまねくことなく導電性および可撓性が良好なものを製造することが容易な導電性偏光板と、その製造方法を提供する。【構成】 本発明の導電性偏光板は、偏光板と、この偏光板の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛-酸化インジウム系薄膜とを備え、かつ、前記酸化亜鉛-酸化インジウム系薄膜が主要なカチオン元素としてInおよびZnを含有するとともに前記Inの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の非晶質薄膜であることを特徴とする。また、本発明の導電性偏光板の製造方法は、偏光板の一主表面上に所定のアンダーコート層を設けた後、このアンダーコート層上に、主要なカチオン元素としてInおよびZnを含有するとともに前記Inの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内である非晶質の酸化亜鉛-酸化インジウム系薄膜を所定のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により設けることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

偏光板と、この偏光板の一主表面上にアンダーコート層を介して設けられた酸化亜鉛-酸化インジウム系薄膜とを備え、かつ、前記酸化亜鉛-酸化インジウム系薄膜が主要なカチオン元素としてInおよびZnを含有するとともに前記Inの原子比In/(In+Zn)が0.55〜0.9の範囲内の非晶質薄膜であることを特徴とする導電性偏光板。

IPC (4件)：

G02B 5/30 ,  C23C 14/08 ,  G02B 1/08 ,  G02F 1/1335 510