半導体装置及びその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-265598
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106592
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】量産性に優れた結晶性シリコンを用いた半導体装置及び、そのような半導体装置を安価に製造する方法を提供する。【構成】アモルファスシリコン膜に銅をイオン注入等の手法で添加し、ガラス基板の歪み点以下との温度で結晶化を行う。また銅の添加領域とその周辺領域で結晶形態が異なることを利用して、目的に応じた半導体装置を作り分ける。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された非単結晶珪素膜を用いた半導体装置であって、前記非単結晶珪素膜には、銅あるいは珪化銅が全領域あるいは特定の領域に添加されており、該領域は結晶成長が行われており、前記結晶成長が行われた領域の非単結晶珪素膜を利用して半導体装置が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/26 , H01L 21/265 , H01L 21/268 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/26 L , H01L 21/265 P

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