特許
J-GLOBAL ID:200903055678816323

半導体装置の解析方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 曾我 道照 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-209105
公開番号(公開出願番号):特開平6-061325
出願日: 1992年08月05日
公開日(公表日): 1994年03月04日
要約:
【要約】【目的】 液晶を半導体素子表面に均一な厚さで塗布することができ、ウエハ状態でも解析を可能にする半導体装置の解析方法を得ることを目的とする。【構成】 電極部7を有する半導体装置6の表面に、液晶2を回転塗布した後、写真製版により上記電極部7のみを露出させ、上記半導体装置の解析をするように構成した。
請求項(抜粋):
電極部を有する半導体装置の表面に、液晶を回転塗布した後、写真製版により上記電極部のみを露出させ、上記半導体装置を解析するようにしたことを特徴とする半導体装置の解析方法。

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